文章目录

0 引 言

1 结构设计

2 实验条件

3 结果分析

3.1 输出特性

3.2 力敏特性

4 结 论

文章摘要:辐射对空间通信系统中使用的传感器件的不利影响是需要重点考虑的问题,作为力学传感器件的核心部件,对力敏传感单元的抗辐照特性的研究就尤为重要。设计了一种InAs量子点（QD）嵌入式高电子迁移率晶体管（HEMT）力敏结构,通过⁶⁰Co-γ射线对InAs QD-HEMT结构进行了不同剂量的辐照,并对辐照前后结构的电学特性、力敏特性进行了测试分析。实验结果表明:随着辐照剂量的增加,InAs QD-HEMT结构的电学特性发生退化,灵敏度不断降低。经过150 Mrad剂量辐照后InAs QD-HEMT结构的漏极电流降低了约21%,灵敏度降低了63.4%。结果表明:高剂量辐照后InAs QD-HEMT结构仍具有工作性能,为MEMS传感器应用于强辐照环境提供研究基础。

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