文章目录

1 计算方法和结构模型

1.1 计算方法

1.2 结构模型

2 结果与讨论

2.1 吸附能

2.2 电子结构调制

2.3 量子电容与表面电荷密度

文章摘要:研究H—,—O—,F—三种基团在Ti₃C₂表面的吸附,通过密度泛函理论模拟计算吸附后结构的电子性质和量子电容.结果表明:3个相邻C原子中心处的正上方是最佳吸附位;基团吸附可调制Ti₃C₂的电子结构;Ti₃C₂表面吸附H—基团的量子电容提升效果最好,且在负偏压下具有较高的电荷积累能力.

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