无线电电子学论文_多量子势垒双阻挡层结构对
文章摘要:为提高AlGaN基深紫外激光二极管（Deep Ultraviolet Laser Diodes,DUV-LD）有源区内载流子浓度，减少载流子泄露，提出一种DUV-LD双阻挡层结构，相对于传统的单一电子阻挡层（Electron Blocking Layer,EBL）结构，又引入一空穴阻挡层（Hole Blocking Layer,HBL），仿真结果证明空穴阻挡层的应用能很好地减少空穴泄漏.同时又对双阻挡层改用五周期Al0.98Ga0.02N/Al0.9Ga0.1N多量子势垒层结构，结果显示与矩形EBL和HBL激光二极管相比，多量子势垒EBL和HBL激光二极管有更好的斜率效率，并且有源区内电子和空穴载流子浓度以及辐射复合速率都有效提高，其中多量子势垒EBL在阻挡电子泄露方面效果更显著.
文章关键词: